| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à base d'un matériau semi-conducteur comportant : a) une implantation (25) d'une ou plusieurs espèces ioniques, pour former une zone de fragilisation (27) délimitant au moins une couche (20a) dans un substrat (20) en matériau semi-conducteur, b) la réalisation, avant ou après l'étape a), d'au moins une couche métallique (22) sur le substrat (20) en matériau semi-conducteur, c) un assemblage de ladite couche métallique avec un substrat (30) de report, puis une fracture du substrat implanté, au niveau de la zone de fragilisation (27), d) la formation d'au moins une couche (56) en matériau semi-conducteur, sur la couche germe (20a) par exemple par épitaxie. |
