Strukturen und Verfahren zum Verbessern von Grabenabschirmungshalbleitervorrichtungen und Schottky-Barrierengleichrichtervorrichtungen
摘要
Es werden verschiedene Strukturen und Verfahren zum Verbessern des Leistungsvermögens von Grabenabschirmungsleistungshalbleitervorrichtungen und dergleichen beschrieben.
申请公布号
DE112010000455(T5)
申请公布日期
2012.05.24
申请号
DE20101100455T
申请日期
2010.02.02
申请人
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人
GREBS, THOMAS E.;YEDINAK, JOSEPH;DOLNY, GARY;RINEHIMER, MARK L.;PROBST, DEAN E.;BENJAMIN, JOHN
