| 发明名称 | 肖特基二极管开关和包含它的存储部件 | ||
| 摘要 | 一种开关元件，包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一部分和第二部分；第二半导体层，该第二半导体层具有第一部分和第二部分；置于第一半导体层和第二半导体层之间的绝缘层；第一金属接触件，该第一金属接触件与第一半导体层的第一部分接触形成第一结并且与第二半导体层的第一部分接触形成第二结；第二金属接触件，该第二金属接触件与第一半导体层的第二部分接触形成第三结并且与第二半导体层的第二部分接触形成第四结，其中第一结和第四结是肖特基接触，第二结和第三结是欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102473706A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080032411.9 | 申请日期 | 2010.07.09 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | K·杨;A·纽罗尔;S·达迪;V·文努戈帕兰;T·伟;J·印斯克 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/102(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
| 主权项 | 一种开关元件，包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和第二部分；第二半导体层，所述第二半导体层具有第一部分和第二部分；置于所述第一半导体层和第二半导体层之间的绝缘层；第一金属接触件，所述第一金属接触件与第一半导体层的第一部分接触形成第一结并且与第二半导体层的第一部分接触形成第二结；第二金属接触件，所述第二金属接触件与第一半导体层的第二部分接触形成第三结并且与第二半导体层的第二部分接触形成第四结，其中所述第一结和第四结是肖特基接触，所述第二结和第三结是欧姆接触。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||