| 发明名称 | 一种芯片平坦化工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种芯片平坦化工艺方法，该方法在硅片上形成前层金属台阶后包括以下步骤：生长第一层填充氧化层，厚度为5000×(1±10％)埃；然后进行倒角刻蚀，修正间隙处的氧化层表面角度，刻蚀量为3000×(1±10％)埃；再生长第二层填充氧化层，厚度为1000×(1±10％)埃；再进行倒角刻蚀，修正间隙处的氧化层表面角度，刻蚀量为1000×(1±10％)埃；再生长第三层填充氧化层，厚度为16000×(1±10％)埃；最后进行CMP作业，氧化层的去除量为10000×(1±10％)埃。本发明所述工艺方法既能避免前层金属台阶间隙产生空洞又能保证前层金属结构的完整性。 | ||
| 申请公布号 | CN102468135A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010549875.9 | 申请日期 | 2010.11.18 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 陈建国;席华萍;贺冠中;周华强 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人 | 田明;任晓航 |
| 主权项 | 一种芯片平坦化工艺方法，其特征在于，所述方法在硅片上形成前层金属台阶后包括以下步骤：a.生长第一层填充氧化层，厚度为5000×(1±10％)埃；b.进行倒角刻蚀，修正间隙处的氧化层表面角度，刻蚀量为3000×(1±10％)埃；c.生长第二层填充氧化层，厚度为1000×(1±10％)埃；d.进行倒角刻蚀，修正间隙处的氧化层表面角度，刻蚀量为1000×(1±10％)埃；e.生长第三层填充氧化层，厚度为16000×(1±10％)埃；f.进行化学机械抛光作业，氧化层的去除量为10000×(1±10％)埃。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||