发明名称 |
亚光刻间距结构与光刻间距结构之间的互连 |
摘要 |
形成了亚光刻间距结构与光刻间距结构之间的互连。具有亚光刻间距的多个导电线可被光刻构图,并沿着与所述多个导电线的长度方向成小于45度的角的直线而被切割。或者,可将与均聚物混合的共聚物置于凹陷区中且使所述共聚物自对准以形成多个导电线,所述多个导电线在恒定宽度区域中具有亚光刻间距且在梯形区域处的相邻线之间具有光刻尺寸。又或者,可在相同或不同的层级(level)形成具有亚光刻间距的第一多个导电线和具有光刻间距的第二多个导电线。 |
申请公布号 |
CN102473649A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201080035469.9 |
申请日期 |
2010.08.04 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
S·邦萨伦提普;D·C·埃德尔斯坦;W·D·辛斯伯格;H-C·金;S·克斯特;P·M·索罗曼 |
分类号 |
H01L21/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;张亚非 |
主权项 |
一种结构,包括:第一多个导电线,其具有第一间距且被掩埋在至少一个介电层中,其中所述第一多个导电线中的每一个具有与第一垂直平面平行的侧壁对和位于第二垂直平面内的端壁,其中所述第一垂直平面与所述第二垂直平面之间的角小于45度;以及多个导电过孔,其中所述多个导电过孔中的每一个接触所述多个导电线之一的端部且被掩埋在所述至少一个介电层中,且其中所述第二垂直平面与所述多个导电过孔中的每一个相交。 |
地址 |
美国纽约 |