| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 采用自举电路的DC/DC变换器的半导体集成电路的特征在于，设置保护元件，该保护元件使连接有所述自举电路的电容器的第1端子和第2端子之间成为被比施加给所述电容器的最大电压大的电压击穿的标准耐压。 | ||
| 申请公布号 | CN102473678A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080029960.0 | 申请日期 | 2010.06.03 |
| 申请人 | 三美电机株式会社 | 发明人 | 黑薮正纪;高桥佳周 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H02M3/07(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;郭凤麟 |
| 主权项 | 一种采用了自举电路的DC/DC变换器的半导体集成电路，其特征在于，设有保护元件，该保护元件使连接有所述自举电路的电容器的第1端子和第2端子之间成为被比施加给所述电容器的最大电压大的电压击穿的标准耐压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||