采用共享浮置扩散区的图像传感器像素结构

摘要

一种用于图像传感器的像素结构包括半导体材料部分(30)，所述半导体材料部分具有共平面且连续的半导体表面且包括四个光电二极管(30A、30B、30C、30D)、四个沟道区域(31A、31B、31C、31D)及共同浮置扩散区域(32)。所述四个沟道区域中的每一者直接接合至所述四个光电二极管中的一者及所述共同浮置扩散区域。所述四个光电二极管位于采用穿过所述共同浮置扩散区域内的点(O1)的垂直线作为中心轴线而限定的四个不同象限(1Q_O1、2Q_O1、3Q_O1、4Q_O1)内。所述共同浮置扩散区域、重设门晶体管(RG)、源极跟随器晶体管(RS)及行选择晶体管位于采用穿过所述光电二极管中的一者(30A)内的点的垂直线作为轴线而限定的四个不同象限(1Q_O2、2Q_O2、3Q_O2、4Q_O2)内。

主权项

一种图像传感器像素结构，其包括半导体衬底，所述半导体衬底包括浅沟槽隔离结构和半导体材料部分，其中所述浅沟槽隔离结构横向包围所述半导体材料部分，所述半导体材料部分具有连续半导体表面且包括四个光电二极管、四个沟道区域以及共同浮置扩散区域，所述连续半导体表面在整个所述半导体材料部分至少延伸，所述四个沟道区域中的每一者直接接合至所述四个光电二极管中的一者和所述共同浮置扩散区域。