发明名称 |
接触电极制造方法和半导体器件 |
摘要 |
本发明提出了一种半导体器件,包括:衬底;栅极部分,形成在所述衬底上;源极部分和漏极部分,分别位于所述栅极部分的相对侧;接触电极,与所述源极部分和/或所述漏极部分相接触,其中所述接触电极在与所述源极部分和/或所述漏极部分接触的一端具有增大的端部。在本发明中,由于在与源极部分/漏极部分接触的界面,增大了接触电极的接触面积,实现了接触电阻的降低,从而确保/增强了半导体器件的性能。本发明还提出了用于制造前述半导体器件(尤其是其中的接触电极)的方法。 |
申请公布号 |
CN102468326A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201010531985.2 |
申请日期 |
2010.10.29 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
分类号 |
H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/417(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
赵伟 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:衬底;栅极部分,形成在所述衬底上;源极部分和漏极部分,分别位于所述栅极部分的相对侧;接触电极,与所述源极部分和/或所述漏极部分相接触,其中所述接触电极在与所述源极部分和/或所述漏极部分接触的一端具有增大的端部。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |