NMOS晶体管的制造方法

摘要

一种半导体技术领域的NMOS晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以所述栅极介电层和所述栅极为掩模，对所述半导体衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；在非晶化区域内形成源/漏区，且在形成源/漏区期间在所述栅极内注入氟离子和磷离子；在所述源/漏区上施加压应力层；对所述源/漏区和所述栅极进行离子激活处理；去除所述压应力层。本发明在栅极中注入氟离子，然后使氟离子进入栅极介电层，氟离子取代栅极介电层中的部分氧离子形成氟硅基团，提高了栅极介电层和半导体衬底间的界面品质，从而改善了NMOS晶体管的热载流子注入效应。

主权项

一种NMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以所述栅极介电层和所述栅极为掩模，对所述半导体衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；在非晶化区域内形成源/漏区，且在形成源/漏区期间在所述栅极内注入氟离子和磷离子；在所述源/漏区上施加压应力层；对所述源/漏区和所述栅极进行离子激活处理；去除所述压应力层。