| 发明名称 | 半导体互连结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡金属介电质层；在所述阻挡金属介电质层上形成停止层；在所述停止层上形成氧化层；在所述氧化层上形成低介电常数介质层，所述低介电常数介质层内形成有铜互连层。本发明不但能改善铜互连层片电阻均匀性差的问题，还避免了在改善铜互连层片电阻均匀性差问题时导致的“天线效应”。 | ||
| 申请公布号 | CN102468224A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010549070.4 | 申请日期 | 2010.11.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡金属介电质层；在所述阻挡金属介电质层上形成停止层；在所述停止层上形成氧化层；在所述氧化层上形成低介电常数介质层，所述低介电常数介质层内形成有铜互连层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||