| 发明名称 | MOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOS晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行非晶化离子注入，在所述半导体衬底内形成非晶化区；对所述半导体衬底进行阈值电压注入，在所述非晶化区上方形成阈值电压注入区；在所述阈值电压注入区上方的半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源/漏区。本发明减小MOS晶体管的结电容，提高MOS晶体管的响应速度，减小MOS晶体管的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102468167A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010532573.0 | 申请日期 | 2010.11.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行非晶化离子注入，在所述半导体衬底内形成非晶化区；对所述半导体衬底进行阈值电压注入，在所述非晶化区上方形成阈值电压注入区；在所述阈值电压注入区上方的半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||