| 发明名称 | 具有改进的ESD保护的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，包括具有小于100微米的厚度以及具有第一衬底侧和相对的第二衬底侧的半导体衬底(102)。在半导体衬底中限定具有小于20V的反向击穿电压的至少四个的多个单片集成齐纳二极管或雪崩二极管(164，166，168，170)，并且该二极管彼此串联连接。在半导体衬底中的多个相互隔离的衬底岛(120，122，124，126)中限定这些二极管，每一个衬底岛至少一个二极管。衬底岛由穿透衬底的隔离横向围绕，该穿透衬底的隔离从第一衬底侧延伸到第二衬底侧，并且包括将相应的衬底岛与半导体衬底的相应的横向围绕区域电隔离的填充物(128)。 | ||
| 申请公布号 | CN101836292B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200880112711.0 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 让-马克·延努;约翰内斯·范兹瓦尔;埃马纽埃尔·萨万 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 一种半导体器件(100)，包括：半导体衬底(102)，具有小于100微米的厚度，并且具有第一衬底侧(102.1)和相对的第二衬底侧(102.4)；多个单片集成的齐纳二极管或雪崩二极管(104至110)，具有小于20V的反向击穿电压，所述二极管在半导体衬底中限定并且彼此串联(172)连接，其中，所述二极管在半导体衬底中的多个相互隔离的衬底岛(120至126)中限定，每一个衬底岛至少一个二极管，其中，所述衬底岛由穿透衬底的隔离(112至118)横向围绕，所述穿透衬底的隔离从第一衬底侧延伸到第二衬底侧，并且包括将相应的衬底岛与半导体衬底的相应的横向围绕区域电隔离的填充物(128)，其中，在第一衬底侧(102.1)上设置第一金属化部(134至140)，在第二衬底侧(102.4)上设置第二金属化部(144至154)，并且其中所述穿透衬底的隔离包括导电通路(130)，所述导电通路(130)由绝缘层(128)与半导体衬底电隔离，并且提供了第一衬底侧和第二衬底侧之间的电路径。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||