集成电路存储器件

摘要

本发明提供一种利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件。一种电荷陷阱闪速存储器件，包括闪速存储器阵列，该闪速存储器阵列中至少具有电荷陷阱存储单元的第一页面，该第一页面被电耦合至第一字线。所述电荷陷阱存储单元的第一页面包括多个可寻址存储单元和多个紧邻的不可寻址“虚拟”存储单元，其中，所述可寻址存储单元被配置为用来存储在读取操作期间待检索的数据，所述不可寻址虚拟存储单元被配置为用来存储在读取操作期间不可检索的虚拟数据。所述多个虚拟存储单元包括至少一个辅助虚拟存储单元，该辅助虚拟存储单元被用作抵抗所述阵列的电荷陷阱层中的侧孔传递的缓冲器。

主权项

一种集成电路存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有第一导电性类型阱区；以及在所述阱区内的非易失性存储器阵列，所述非易失性存储器阵列中具有电荷陷阱存储单元的第一和第二多个NAND串，所述第一和第二多个NAND串通过电荷陷阱存储单元的主虚拟NAND串和电荷陷阱存储单元的辅助虚拟NAND串而被相互隔开，所述辅助虚拟NAND串紧邻所述主虚拟NAND串而延伸，所述主虚拟NAND串包括电连接至所述阱区的主虚拟位线，其中所述主虚拟NAND串被配置为在操作期间阻止在其中存储数据，以将数据写入电荷陷阱存储单元的所述第一和第二多个NAND串；并且所述辅助虚拟NAND串被配置为在操作期间在其中接收虚拟数据，以将数据写入电荷陷阱存储单元的所述第一和第二多个NAND串。