发明名称 |
虚拟测量工艺控制系统和设置方法 |
摘要 |
本发明提供一种虚拟测量工艺控制系统。在一实施例中,虚拟测量工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入,处理多个晶片;测量设备,用以测量至少一个晶片的特性,并且产生真实测量数据,其中晶片包括至少一个品管样品晶片;虚拟测量模块,用以为每一个晶片产生预估测量数据;以及工艺控制器,用以接受预估测量数据与真实测量数据,并且根据预估测量数据与真实测量数据,产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上,更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。 |
申请公布号 |
CN101908495B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201010116662.7 |
申请日期 |
2010.02.10 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
蔡柏沣;曾衍迪;宋金宁 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;高雪琴 |
主权项 |
一种虚拟测量工艺控制系统,包括:一工艺设备,根据所接收的多个工艺输入,处理多个晶片;一测量设备,用以测量至少一个上述晶片的一特性,并且产生一真实测量数据,其中上述晶片包括至少一个品管样品晶片;一虚拟测量模块,用以为每一个上述晶片产生一预估测量数据;以及一工艺控制器,用以接受上述预估测量数据与上述真实测量数据,并且根据上述预估测量数据与上述真实测量数据,产生上述工艺设备的上述工艺输入,其中上述品管样品晶片的上述真实测量数据用以更新上述虚拟测量模块;上述虚拟测量模块的多个关键变数仅在判断出上述虚拟测量模块所产生的上述预估测量数据不精确时被更新;以及上述虚拟测量模块的多个参数根据上述品管样品晶片的上述真实测量数据而被更新,其中上述参数择自于由权重、斜率与偏差所组成的群组,其中,上述关键变数为由多种来源所提取的虚拟测量模块的重要输入,上述来源为故障检测及分类模块、上述工艺控制器或统计工艺控制。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |