发明名称 金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大电路
摘要 本发明涉及一种金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大电路,适用于地震预报、地质和水文地质勘探、寻找地下水源、环境保护等工作场合,对氡及其子体衰变过程中辐射α粒子的能量进行测量。本发明由前置放大器、三级反相比例放大器和输出电平与TTL电平兼容的比较器组成;所述前置放大器的输入端通过同轴电缆与所述金硅面垒型半导体探测器的输出端相连接,所述前置放大器的输出端经所述三级反相比例放大器接所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输入端,所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输出端接计算机的相应输入端。本发明的有益效果是具有噪声低,响应灵敏度高、转换速度快、防电磁干扰、调试简单、输出数字信号、稳定性高及成本低等特点。
申请公布号 CN102253402B 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN201110138677.8 申请日期 2011.05.26
申请人 张阳;洪卫军;尹军祖;赵正桥 发明人 张阳;洪卫军;尹军祖;卜凡亮;秦静;赵正桥
分类号 G01T1/24(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I 主分类号 G01T1/24(2006.01)I
代理机构 石家庄科诚专利事务所 13113 代理人 张红卫
主权项 一种金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大电路,其特征在于其由前置放大器、三级反相比例放大器和输出电平与TTL电平兼容的比较器组成;所述前置放大器的输入端通过同轴电缆与所述金硅面垒型半导体探测器的输出端相连接,所述前置放大器的输出端经所述三级反相比例放大器接所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输入端,所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输出端接计算机的相应输入端;所述前置放大器由晶体管T1‑T4、电阻R1‑R7、电容C1‑C7组成;所述晶体管T1和T2组成复合管,所述晶体管T1的基极经电容C1接所述金硅面垒型半导体探测器的输出端正极,所述晶体管T2的发射极接地,所述晶体管T1和T2的集电极接晶体管T3的发射极,VC1点依次经电阻R7、电阻R1、电阻R2接地,电阻R1和R2的节点接晶体管T3的基极,电阻R4接在电阻R7和R1的节点与晶体管T3的集电极之间,晶体管T3的集电极接晶体管T4的基极,晶体管T4的发射极经电阻R6接地,电阻R5接在电阻R7和R1的节点与晶体管T4的集电极之间,电阻R3与电容C2并联后接在晶体管T4的发射极与晶体管T1的基极之间,电容C3‑C7为滤波电容。
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