| 发明名称 | 多元复合透明导电薄膜制备方法及其制备的薄膜和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种多元复合透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用，其方法包括如下步骤：AZO靶材的制备，将Al2O3和ZnO粉体混合，烧结作为靶材，所述Al2O3与ZnO的摩尔量比为1/120～1/35；ATO靶材的制备，将Sb2O3和SnO2粉体混合，烧结作为靶材，所述Sb2O3与SnO2的摩尔量比为1/9～1/4；薄膜的沉积，将所述AZO靶材和ATO靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置衬底温度为500℃～800℃，惰性气体流量为15sccm～25sccm，压强为0.2Pa～1.6Pa，AZO靶位和ATO靶位的溅射功率为60W～160W，沉积时间为40min～240min。 | ||
| 申请公布号 | CN102465271A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010544036.8 | 申请日期 | 2010.11.15 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 | 发明人 | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：AZO靶材的制备：将Al2O3和ZnO粉体混合，烧结作为靶材，所述Al2O3与ZnO的摩尔量比为1/120～1/35；ATO靶材的制备：将Sb2O3和SnO2粉体混合，烧结作为靶材，所述Sb2O3与SnO2的摩尔量比为1/9～1/4；薄膜的沉积：将所述AZO靶材和ATO靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置衬底温度为500℃～800℃，惰性气体流量为15sccm～25sccm，压强为0.2Pa～1.6Pa，AZO靶位和ATO靶位的溅射功率为60W～160W，沉积时间为40min～240min。 | ||
| 地址 | 518052 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||