| 发明名称 | 集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种形成集成电路的方法，包括形成多个沿着第一方向纵向地排布在衬底上方的栅极结构。对衬底实施多个角度离子注入。每个角度离子注入具有各自的关于第二方向的注入角度。第二方向基本上与衬底的表面平行并且基本上与第一方向垂直。每个所述注入角度都基本上大于0°。 | ||
| 申请公布号 | CN102468240A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110243091.8 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴志强;许义明;余宗兴;程冠伦;曹志彬;陈文园;郑存甫;王志庆 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种形成集成电路的方法，所述方法包括：沿着第一方向形成多个纵向地排布在衬底上方的栅极结构；以及对所述衬底实施多个角度离子注入，每个所述角度离子注入都具有各自的关于第二方向的注入角度，其中所述第二方向基本上与所述衬底的表面平行并且基本上与所述第一方向垂直，并且每个所述注入角度基本上大于0°。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||