| 发明名称 | 抗辐射性的氟化物晶体的生产工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及对于紫外辐射具有高抗辐射性的氟化物晶体，特别是钙氟化物晶体的生产工艺，该工艺包括：提供包含碱金属氟化物或碱土金属氟化物的晶体粉末(6)以形成原料晶体块(14)；在晶体生长单元(11)中熔融原料晶体块(14)；以及通过冷却而固化熔融的原料晶体块(14)，其中复合氟代酸的铵盐(7)和脂族醇(8)被加入晶体粉末(6)或原料晶体块(14)以减少氧化物杂质。本发明还涉及通过该工艺制造的氟化物晶体以及由这样的氟化物晶体形成的光学部件。 | ||
| 申请公布号 | CN102465331A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110365130.1 | 申请日期 | 2011.11.17 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | U.帕尔 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种对于紫外辐射具有高抗辐射性的氟化物晶体，特别是氟化钙晶体的生产工艺，该工艺包括：提供包含碱金属氟化物或碱土金属氟化物的晶体粉末(6)以形成原料晶体块(14)；在晶体生长单元(11)中熔融所述原料晶体块(14)；以及通过冷却而固化所述熔融的原料晶体块(14)，其中复合氟代酸的铵盐(7)和脂族醇(8)被加入所述晶体粉末(6)或原料晶体块(14)以减少氧化物杂质。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||