| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，其中所述形成方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成金属阻挡层；在所述金属扩散层的表面形成NDC材质的金属粘附层；依次采用Ar离子以及氧离子轰击金属粘附层的表面；在所述金属粘附层的表面形成第二介质层。本发明能够在NDC材质表面形成致密的氧化物薄膜，降低了表面应力，提高NDC材质与相邻介质层之间的粘附性，同时不影响器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102468228A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010552513.5 | 申请日期 | 2010.11.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成金属阻挡层；在所述金属扩散层的表面形成NDC材质的金属粘附层；依次采用Ar离子以及氧离子轰击金属粘附层的表面；在所述金属粘附层的表面形成第二介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||