发明名称 半导体基板的处理方法
摘要 一种半导体基板的处理方法,其应用在光电转换模块,处理方法包括下列步骤:提供一半导体基板,其具有两个表面;对半导体基板的至少一个表面进行结构化处理;对半导体基板的所述表面进行扩散;涂布一抗反射层在半导体基板的所述表面;以及机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面,且机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面的步骤施行在上述任两个连续的步骤之间。因此,经过机械表面处理后的半导体基板的表面能更加粗糙,且同时使原本存在半导体基板内部的缺陷能聚集在半导体基板的表面,并通过后续处理以一并地对聚集在半导体基板的表面的缺陷移除,以提高半导体基板整体的光电转换效率。
申请公布号 CN101872800B 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN200910137337.6 申请日期 2009.04.24
申请人 新日光能源科技股份有限公司 发明人 吴孟修;陈永芳;戴煜暐;王嘉庆;温志中;洪傅献;邱颂盛
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人 文琦;杨本良
主权项 一种半导体基板的处理方法,所述处理方法是应用在太阳能电池的光电转换模块,其特征在于,所述处理方法包括下列步骤:提供一半导体基板,其具有两个表面,分别为一第一表面及一第二表面,其中第一表面为太阳光入射至半导体基板的入光面,而第二表面则是与第一表面对应设置的背光表面;对所述半导体基板的至少一个所述表面进行结构化处理;对所述半导体基板的所述表面进行扩散,其中当光线进入至经过扩散处理后的所述半导体基板,所述半导体基板产生光电转换,并形成一个内建电场;涂布一抗反射层在所述半导体基板的所述表面;以及机械表面处理该半导体基板的至少一个所述表面,且机械表面处理该半导体基板的至少一个所述表面的步骤施行在上述任两个连续的步骤之间,其中所述机械表面处理是喷砂或研磨的非化学性的粗糙化处理。
地址 中国台湾新竹市