垂直发光二极管晶粒及其制造方法

摘要

本发明公开了一种垂直发光二极管晶粒，包含：一p-型限制层；一活化层，位于该p-型限制层上并用以发光；以及一n-型限制结构，具有用以保护该活化层的至少一刻蚀停止层。一种垂直发光二极管晶粒的制造方法，包含下列步骤：设置一载体基底；将一n-型限制结构形成在该载体基底上，该n-型限制结构具有至少一刻蚀停止层；将一活化层形成在该n-型限制结构上；将一p-型限制层形成在该活化层上；以及移除该载体基底。

主权项

一种垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述的垂直发光二极管晶粒包含：一p‑型限制层，包含至少一p‑型半导体层；一活化层，位于所述的p‑型限制层上，并包含用以发光的一多重量子井；及一n‑型限制结构，包含至少一n‑型半导体层以及至少一刻蚀停止层，所述的刻蚀停止层包含用以保护所述的活化层的一半导体材料。