| 发明名称 | 碳化硅晶体的制造方法、碳化硅晶体及碳化硅晶体的制造装置 | ||
| 摘要 | SiC晶体(10)的制造方法包括以下步骤。即，准备制造装置(100)，所述制造装置(100)包含坩埚(101)和覆盖所述坩埚(101)的外周的隔热材料(121)。将原料(17)放置在所述坩埚(101)内。将晶种(11)以与所述原料(17)对向的方式放置在所述坩埚(101)内。通过对所述坩埚(101)内的所述原料(17)进行加热使其升华且将所得原料气体沉积在所述晶种(11)上而生长碳化硅晶体(10)。准备所述制造装置(100)的步骤包括在所述坩埚(101)于所述晶种(11)侧的外表面(101a)与所述隔热材料(121)之间设置由空间构成的散热部(131、132)的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102471930A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201180002919.9 | 申请日期 | 2011.02.16 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 西口太郎 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种碳化硅晶体(10)的制造方法，包括以下步骤：准备制造装置(100)，所述制造装置(100)包含坩埚(101)和覆盖所述坩埚(101)的外周的隔热材料(121)；将原料(17)放置在所述坩埚(101)内；将晶种(11)以与所述原料(17)对向的方式放置在所述坩埚(101)内；以及通过对所述坩埚(101)内的所述原料(17)进行加热使其升华且将所得原料气体沉积在所述晶种(11)上，从而生长碳化硅晶体(10)，准备所述制造装置(100)的步骤包括在所述坩埚(101)于所述晶种(11)侧的外表面(101a)与所述隔热材料(121)之间设置由空间构成的散热部(131、132)的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||