| 发明名称 | 双重图形化方法 | ||
| 摘要 | 一种双重图形化方法，包括：分别提供基底、第一压印模具和第二压印模具，所述基底上形成有硬掩膜层，所述第一压印模具具有第一图形，所述第二压印模具具有第二图形；使用所述第一压印模具对所述硬掩膜层进行压印，将所述第一图形转移至所述硬掩膜层；形成光刻胶层，覆盖所述压印后的硬掩膜层；使用所述第二压印模具对所述光刻胶层进行压印，将所述第二图形转移至所述光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，将所述第二图形转移至所述硬掩膜层。本发明有利于改善图形化精度，减小图形的线宽，提高器件集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN102468136A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010552528.1 | 申请日期 | 2010.11.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;孙武 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种双重图形化方法，其特征在于，包括：分别提供基底、第一压印模具和第二压印模具，所述基底上形成有硬掩膜层，所述第一压印模具具有第一图形，所述第二压印模具具有第二图形；使用所述第一压印模具对所述硬掩膜层进行压印，将所述第一图形转移至所述硬掩膜层；形成光刻胶层，覆盖所述压印后的硬掩膜层；使用所述第二压印模具对所述光刻胶层进行压印，将所述第二图形转移至所述光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，将所述第二图形转移至所述硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||