| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储装置。在一个示例性的实施例中，所述半导体存储装置可以包括：列控制信号发生器，所述列控制信号发生器被配置为在数据屏蔽操作期间产生与数据屏蔽对应的位线对的列控制信号；以及位线感测放大器，所述位线感测放大器被配置为感测并放大位线对之间的电压差，并响应于列控制信号而将位线对与区段输入/输出线对电耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN102467945A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110039657.5 | 申请日期 | 2011.02.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴文必;李政桓 |
| 分类号 | G11C7/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;张文 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，包括：列控制信号发生器，所述列控制信号发生器被配置为在数据屏蔽操作期间控制与数据屏蔽对应的位线对的列控制信号；以及位线感测放大器，所述位线感测放大器被配置为感测并放大所述位线对之间的电压差，并且响应于列控制信号而将所述位线对与区段输入/输出线对耦合。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||