发明名称 |
形成电容器的方法 |
摘要 |
一种形成电容器的方法包括在内部导电电容器电极材料上方沉积第一相的介电金属氧化物层到厚度不超过75埃。所述第一相介电金属氧化物层具有至少15的k。在所述介电金属氧化物层上方且与其成物理接触地沉积导电RuO2。然后,使所述RuO2与所述介电金属氧化物层在低于500℃的温度下退火。在所述退火期间,与所述介电金属氧化物物理接触的所述RuO2有利于所述介电金属氧化物层从所述第一相到具有高于所述第一相的k的第二结晶相的变化。将所述经退火介电金属氧化物层并入到电容器构造的电容器介电区域中。还揭示了其它实施方案。 |
申请公布号 |
CN102473681A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201080029584.5 |
申请日期 |
2010.06.15 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
瓦西尔·安东诺夫;维什瓦纳特·巴特 |
分类号 |
H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种形成电容器的方法,其包含:在衬底上方沉积内部导电电容器电极材料;在所述内部导电电容器电极材料上方沉积第一相的介电金属氧化物层到厚度不超过75埃,所述第一相介电金属氧化物层具有至少15的k;在所述介电金属氧化物层上方并与其成物理接触地沉积导电RuO2;在沉积所述导电RuO2之后,使所述RuO2与所述介电金属氧化物层在低于500℃的温度下退火;在所述退火期间,与所述介电金属氧化物物理接触的所述RuO2有利于所述介电金属氧化物层从所述第一相到具有高于所述第一相的k的第二结晶相的变化;和将所述经退火介电金属氧化物层并入到电容器构造的电容器介电区域中,所述电容器构造包含所述内部导电电容器电极材料和包含所述经退火导电RuO2的外部导电电容器电极材料。 |
地址 |
美国爱达荷州 |