| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法包括：在形成于基板(10)的第1活性区域(10a)上形成包含高电介质的第1栅极绝缘膜(17a)、和包含金属材料的第1栅电极(18a)，且在形成于基板(10)的第2活性区域(10b)上形成包含高电介质的第2栅极绝缘膜(17b)、和包含金属材料的第2栅电极(18b)的工序；向第1栅极绝缘膜(17a)的端部和第2栅极绝缘膜(17b)的端部导入负的固定电荷的工序；和除去第1栅极绝缘膜(17a)的端部的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102473679A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080030744.8 | 申请日期 | 2010.02.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 藤田智弘;平濑顺司;佐藤好弘 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中，该半导体装置具备：基板，其具有第1活性区域和第2活性区域；NMIS晶体管，其形成在所述第1活性区域上；和PMIS晶体管，其形成在所述第2活性区域上，所述NMIS晶体管具备：第1栅极绝缘膜，其形成在所述第1活性区域上，且包含高电介质；和第1栅电极，其形成在所述第1栅极绝缘膜上，且包含金属材料，所述PMIS晶体管具备：第2栅极绝缘膜，其形成在所述第2活性区域上，且包含高电介质；和第2栅电极，其形成在所述第2栅极绝缘膜上，且包含金属材料，所述第1栅极绝缘膜的侧面位于比所述第1栅电极的侧面更靠内侧的位置上，所述第1栅极绝缘膜的栅极长度方向的长度与所述第1栅电极的栅极长度方向的长度之比，小于所述第2栅极绝缘膜的栅极长度方向的长度与所述第2栅电极的栅极长度方向的长度之比。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||