发明名称 |
单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚 |
摘要 |
提供一种在高温环境下强度高,且提拉结束后能简单取出的氧化硅玻璃坩埚。氧化硅玻璃坩埚(10)具有设置于坩埚外表面侧的氧化硅玻璃外层(13a)、设置于坩埚内表面侧的氧化硅玻璃内层(13c)、设置于氧化硅玻璃外层(13a)和氧化硅玻璃内层(13c)之间的氧化硅玻璃中间层(13b)。氧化硅玻璃外层(13a)有100ppm以上的矿化剂浓度,氧化硅玻璃中间层(13b)和氧化硅玻璃内层(13c)具有50ppm以下的矿化剂浓度。优选的,氧化硅玻璃外层(13a)和氧化硅玻璃中间层(13b)由天然氧化硅组成,氧化硅玻璃内层(13c)由高纯度天然氧化硅或合成氧化硅组成。而且,底部(10B)的氧化硅玻璃外层(13a)的厚度是0.5mm~2.0mm,侧壁部(10A)的氧化硅玻璃外层(13a)厚于底部(10B)的氧化硅玻璃外层(13a)。 |
申请公布号 |
CN102471922A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201080033032.1 |
申请日期 |
2010.07.28 |
申请人 |
日本超精石英株式会社 |
发明人 |
须藤俊明;佐藤贤 |
分类号 |
C30B15/10(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种氧化硅玻璃坩埚,包括侧壁部、弯曲部及底部,其特征在于: 还具有设置于所述坩埚外表面侧的氧化硅玻璃外层,设置于所述坩埚内表面侧的氧化硅玻璃内层,以及设置于所述氧化硅玻璃外层和所述氧化硅玻璃内层之间的氧化硅玻璃中间层,其中, 所述氧化硅玻璃外层具有100ppm以上的矿化剂浓度, 所述氧化硅玻璃中间层及所述氧化硅玻璃内层具有50ppm以下的矿化剂浓度, 所述底部的氧化硅玻璃外层的厚度为0.5mm以上且2.0mm以下, 所述侧壁部的氧化硅玻璃外层的厚度比所述坩埚底部的氧化硅玻璃外层的厚度厚。 |
地址 |
日本秋田县秋田市茨岛5-14-3 |