等离子蚀刻法

摘要

本发明涉及一种能够高精度地蚀刻宽带隙半导体基板的等离子蚀刻法。将惰性气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对载置宽带隙半导体基板的基台赋予偏置电位，使由惰性气体的等离子化所产生的离子入射到基台上的半导体基板而加热半导体基板，当半导体基板的温度达到200℃～400℃的温度即蚀刻时的温度后，将蚀刻气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对基台赋予偏置电位，一面将半导体基板的温度维持在所述蚀刻时的温度一面蚀刻半导体基板。

主权项

一种等离子蚀刻法，将蚀刻气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对配置在所述处理腔室内的载置宽带隙半导体基板的基台赋予偏置电位，而对所述基台上的宽带隙半导体基板进行等离子蚀刻；且该等离子蚀刻法的特征在于：将所述半导体基板加热到200℃～400℃而进行蚀刻。