发明名称 旋转磁场传感器
摘要 本发明涉及旋转磁场传感器,旋转磁场传感器具备:第1检测电路,输出表示旋转磁场的第1方向的分量的强度的第1信号;第2检测电路,输出表示旋转磁场的第2方向的分量的强度的第2信号;以及运算电路,基于第1以及第2信号计算角度检测值。第1以及第2检测电路分别包含至少1个MR元件列。各MR元件列通过串联连接的多个MR元件构成。各MR元件具有磁化固定层。构成各MR元件列的多个MR元件包含1个以上的MR元件对。构成对的2个MR元件的磁化固定层的磁化方向形成除了0°以及180°之外的规定的相对角度。
申请公布号 CN102466491A 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN201110364924.6 申请日期 2011.11.17
申请人 TDK株式会社 发明人 驹崎洋亮;平林启;猿木俊司
分类号 G01D5/243(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I 主分类号 G01D5/243(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 毛立群;王忠忠
主权项 一种旋转磁场传感器,检测基准位置中的旋转磁场的方向相对于基准方向所形成的角度,其特征在于,具备:第1检测电路,检测所述旋转磁场的第1方向的分量的强度,输出表示该强度的第1信号;第2检测电路,检测所述旋转磁场的第2方向的分量的强度,输出表示该强度的第2信号;以及运算电路,基于所述第1以及第2信号,计算角度检测值,该角度检测值和所述基准位置中的所述旋转磁场的方向相对于所述基准方向所形成的角度具有对应关系,所述第1以及第2检测电路分别包含至少1个磁阻效应元件列,各磁阻效应元件列通过串联连接的多个磁阻效应元件构成,各磁阻效应元件具有:磁化固定层,其磁化方向固定;自由层,其磁化方向对应于所述旋转磁场的方向进行变化;以及非磁性层,配置在所述磁化固定层和自由层之间,构成各磁阻效应元件列的多个磁阻效应元件的数量是2以上的偶数,构成各磁阻效应元件列的多个磁阻效应元件包含1个以上的磁阻效应元件对,构成所述对的2个磁阻效应元件的磁化固定层的磁化方向形成除了0°以及180°之外的规定的相对角度,所述第1检测电路的所述至少1个磁阻效应元件列不包含具有磁化方向被固定在所述第1方向或与第1方向相反方向的磁化固定层的磁阻效应元件,所述第2检测电路的所述至少1个磁阻效应元件列不包含具有磁化方向被固定在所述第2方向或与第2方向相反方向的磁化固定层的磁阻效应元件。
地址 日本东京都