用于透射电子显微镜的器件绝缘隔离区观测样品制备方法

摘要

本发明提供一种用于透射电子显微镜的器件绝缘隔离区观测样品制备方法，提供一样品，所述样品包括衬底及器件绝缘隔离区，包括以下步骤：A.在所述器件绝缘隔离区之上淀积氮化硅层；B.在所述淀积的氮化硅层上淀积二氧化硅层；C.使用聚焦离子束对经过步骤A和步骤B处理后的样品进行切割，形成暴露出所述器件绝缘隔离区截面的透射电子显微镜观测薄片。采用本发明方法制备的透射电子显微镜器件绝缘隔离区观测样品由于在器件绝缘隔离区上还淀积了氮化硅层上和二氧化硅层对疏松的器件绝缘隔离区进行保护，使得使用聚焦离子束切割样品时，高能离子束不会使器件绝缘隔离区顶部的氧化层收缩变形。

主权项

一种用于透射电子显微镜的器件绝缘隔离区观测样品制备方法，包括提供一样品，所述样品包括衬底及器件绝缘隔离区，其特征在于，还包括以下步骤：A.在所述器件绝缘隔离区之上淀积氮化硅层；B.在所述淀积的氮化硅层上淀积二氧化硅层；C.使用聚焦离子束对经过步骤A和步骤B处理后的样品进行切割，形成暴露出所述器件绝缘隔离区截面的透射电子显微镜观测薄片。