一种半导体蚀刻方法

摘要

本发明是有关于一种半导体蚀刻方法，可以在上层幕罩层的微影工艺完成后，在后续的蚀刻工艺中再次调整所欲蚀刻材料的最终临界尺寸。其中该幕罩层包含一硬式幕罩材料且具有至少一突出特征其具有一初始宽度。该方法包含导入包含碳和氟的一第一等离子体于一反应室中，其中碳和氟的残留物至少沉积于该反应室的内壁；此方法更包含使用一搭配该碳和氟的第二等离子体以移除该幕罩层的一部分，其中剩余的硬式幕罩材料形成一特征图案在该至少一突出特征处具有一个与该初始宽度不同的最终宽度；此方法还包含使用由该剩余的硬式幕罩材料提供的具有该最终宽度的该至少一突出特征作为一蚀刻幕罩来转移该特征图案至该半导体基板。

主权项

一种半导体蚀刻方法，其特征在于其提供一幕罩层于一半导体基板上，该幕罩层包含一硬式幕罩材料且具有至少一突出特征，其具有一初始宽度，该方法包括以下步骤：导入包含碳和氟的一第一等离子体于一反应室中，其中碳和氟的残留物至少沉积于该反应室的内壁；使用一搭配该碳和氟的第二等离子体以移除该幕罩层的一部分，其中剩余的硬式幕罩材料形成一特征图案在该至少一突出特征处具有一个与该初始宽度不同的最终宽度；以及使用由该剩余的硬式幕罩材料提供的具有该最终宽度的该至少一突出特征作为一蚀刻幕罩来转移该特征图案至该半导体基板。