| 发明名称 | 半导体存储单元、器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储单元、器件及其制备方法。该半导体存储单元，包括：衬底；沟道区，位于衬底上方；栅区，位于沟道区上方；源区和漏区，位于衬底上方，沟道区的两侧；埋层，位于衬底和沟道区之间，由禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成。由于埋层的禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度要窄，从而在埋层形成空穴势垒，存储在埋层中的空穴将面临势垒很难泄露出去。通过上述方法，可以提高采用浮体效应的存储单元的信息保持时间。 | ||
| 申请公布号 | CN102468303A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010541159.6 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 霍宗亮;刘明 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种半导体存储单元，其特征在于，包括：衬底；沟道区，位于所述衬底上方；栅区，位于所述沟道区上方；源区和漏区，位于所述衬底上方，所述沟道区的两侧；埋层，位于所述衬底和沟道区之间，由禁带宽度比所述沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||