| 发明名称 | 氧化钪稳定氧化锆片的制备方法及由该方法得到的氧化钪稳定氧化锆片以及氧化钪稳定氧化锆烧结粉末 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制备氧化钪稳定氧化锆片的方法，其特征在于，该制备方法包括：将氧化钪稳定氧化锆的烧结体粉碎，得到氧化钪稳定氧化锆烧结粉末的工序，所述氧化钪稳定氧化锆烧结粉末用透射电子显微镜测定的平均粒径(De)为大于0.3μm且小于等于1.5μm，用激光散射法测定的平均粒径(Dr)为大于0.3μm且小于等于3.0μm，并且用激光散射法测定的平均粒径与用透射电子显微镜测定的平均粒径的比(Dr/De)为1.0以上且2.5以下；配制含有氧化钪稳定氧化锆烧结粉末和氧化锆未烧结粉末的浆料的工序，相对于浆料中氧化钪稳定氧化锆烧结粉末和氧化锆未烧结粉末的总量，氧化钪稳定氧化锆烧结粉末的比例为2质量％以上且40质量％以下；将上述浆料成型为片状的工序；以及将得到的成型体烧结的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102471167A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080034368.X | 申请日期 | 2010.10.22 |
| 申请人 | 株式会社日本触媒 | 发明人 | 秦和男;相川规一 |
| 分类号 | C04B35/48(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I;H01M8/12(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 王浩然;周建秋 |
| 主权项 | 一种用于制备氧化钪稳定氧化锆片的方法，其特征在于，该制备方法包括：将氧化钪稳定氧化锆的烧结体粉碎，得到氧化钪稳定氧化锆烧结粉末的工序，所述氧化钪稳定氧化锆烧结粉末用透射电子显微镜测定的平均粒径De为大于0.3μm且小于等于1.5μm，用激光散射法测定的平均粒径Dr为大于0.3μm且小于等于3.0μm，并且用激光散射法测定的平均粒径与用透射电子显微镜测定的平均粒径的比Dr/De为1.0以上且2.5以下；配制含有氧化钪稳定氧化锆烧结粉末和氧化锆未烧结粉末的浆料的工序，相对于浆料中氧化钪稳定氧化锆烧结粉末和氧化锆未烧结粉末的总量，氧化钪稳定氧化锆烧结粉末的比例为2质量％以上且40质量％以下；将上述浆料成型为片状的工序；以及将得到的成型体烧结的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||