| 发明名称 | 制造GaN基膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍大且比其1.0倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲而不会在衬底中产生裂纹的GaN基膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102465343A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110359911.X | 申请日期 | 2011.11.14 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 藤原伸介;上松康二;山本喜之;佐藤一成 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍大且比其1.0倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||