发明名称 |
在指定区域形成侧墙的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种在指定区域形成侧墙的方法,该方法包括:提供前端器件层,前端器件层包含至少一个指定区域,指定区域由非功能区域包围,指定区域包含至少一个需要形成侧墙的器件,在前端器件层上依次形成第一保护层和第二保护层;在第二保护层上形成带有开口图案的光刻胶层,开口图案对应指定区域和一部分非功能区域或对应指定区域和全部非功能区域;以光刻胶层为掩膜,刻蚀第二保护层,然后刻蚀第一保护层,以露出指定区域;在露出指定区域的前端器件层上形成侧墙材料层;刻蚀侧墙材料层,以在需要形成侧墙的器件的周围形成侧墙。本发明可避免除需要形成侧墙的器件之外的其他器件被刻蚀气体损耗,且工艺简单,便于实现。 |
申请公布号 |
CN102468234A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201010531711.3 |
申请日期 |
2010.11.04 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
洪中山 |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;谢栒 |
主权项 |
一种在指定区域形成侧墙的方法,其特征在于包括:‑提供前端器件层,所述前端器件层包含至少一个指定区域,所述指定区域由非功能区域包围,所述指定区域为需要形成侧墙的器件区域,在所述前端器件层上依次形成第一保护层和第二保护层;‑在所述第二保护层上形成带有开口图案的光刻胶层,所述开口图案对应所述指定区域和至少部分所述非功能区域;‑以所述光刻胶层为掩膜,刻蚀所述第二保护层,然后刻蚀所述第一保护层,以露出所述指定区域;‑在露出所述指定区域的所述前端器件层上形成侧墙材料层; ‑刻蚀所述侧墙材料层,以在所述需要形成侧墙的器件的周围形成侧墙。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |