荧光体、其制造方法及其应用

摘要

本发明涉及荧光体、其制造方法及其应用，所述荧光体的特征在于，所述荧光体含有以下述通式[1]表示的化学组成的结晶相，并且以在波长420nm～480nm的范围内具有峰值的光激发时，由下述式[2]计算出的发光强度的变化率的平均值为1.3以下。式[1]中，Ln表示选自由Y、Gd、Sc、Lu和La组成的组中的至少一种元素，M表示选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种元素，a、b分别为满足0.001≤a≤0.3、0≤b≤0.5的数。式[2]中，I(λ)为激发波长λnm处的荧光体的发光强度，I(λ+1)为激发波长(λ+1)nm处的荧光体的发光强度。(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12    …[1]发光强度的变化率＝[(I(λ+1)-I(λ))/I(λ)]2…[2]。

主权项

一种荧光体，其特征在于，所述荧光体含有以下述通式[1]表示的化学组成的结晶相，并且以在波长420nm～480nm的范围具有峰值的光激发时，由下述式[2]计算出的发光强度的变化率的平均值为1.3以下，所述荧光体的重量平均中值粒径D50为14μm以上且40μm以下(Ln1‑a‑bCeaTbb)3M5O12...[1]其中，Ln表示Y或者表示Y和Lu，M表示选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种元素，a、b分别为满足0.001≤a≤0.3、0≤b≤0.5的数，发光强度的变化率＝[(I(λ+1)‑I(λ))/I(λ)]2...[2]其中，I(λ)为激发波长λnm处的荧光体的发光强度，I(λ+1)为激发波长(λ+1)nm处的荧光体的发光强度。