用于检测在半导体存储器的全局数据总线中的电阻性桥接缺陷的方法

摘要

提供了一种用于检测在具有N个Z块的半导体存储器的全局数据总线(GDB)中的电阻性桥接缺陷的方法(300)。在示例性实施例中，提供具有预定测试模式的多个数据集(310)。使用所述多个数据集来至少对N个Z块中的Z块内的预定存储器位置执行(320)写入和读取操作，以使得向至少一个预定存储器位置中的每个应用每个数据集。为了使微弱的桥接缺陷(105)敏感化，连续地重复对相同存储位置的相同数据集的写入和读取操作至少四次(330)。然后对存储器的所有Z块重复这些步骤。依照这一方式来在存储器的GDB中检测电阻性桥接缺陷，所述方式覆盖了基本上所有的桥接缺陷(105)以及微弱的桥接缺陷的可能位置，同时实质上降低了测试复杂性和时间。

主权项

一种用于检测在具有N个Z块(150)的半导体存储器的全局数据总线(155)中的电阻性桥接缺陷(105)的方法(300)，所述Z块是所述半导体存储器的存储体，所述方法包括：a)依照适于检测所述电阻性桥接缺陷的预定测试模式(310)提供多个数据集；b)使用所述多个数据集来向半导体存储器的N个Z块中的Z块内的至少一个预定存储器位置执行写入和读取操作(320)，以致每个数据集被应用于所述至少一个预定存储器位置中的每个；和c)对于相同的Z块，重复步骤a)和b)(330)；和d)对于所述半导体存储器的N个Z块中的多个，重复步骤a)到c)。