发明名称 无硅通孔低成本图像传感器封装结构
摘要 本实用新型涉及一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及芯片内部钝化层(2)的下表面选择性的设置绝缘层(9);在芯片内部钝化层(2)和芯片内部金属层(3)上形成贯穿孔(10);在绝缘层(9)表面及贯穿孔(10)内选择性的形成金属线路层(11);在绝缘层(9)及金属线路层(11)上选择性的设置线路保护层(12);在金属线路层(11)露出线路保护层(12)的地方设置焊球(13)本实用新型提供了具有结构简单、互联可靠性好、工艺简单、低成本的特点的无硅通孔低成本图像传感器封装结构。
申请公布号 CN202231013U 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN201120371181.0 申请日期 2011.10.08
申请人 江阴长电先进封装有限公司 发明人 张黎;陈栋;赖志明;陈锦辉;段珍珍
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人 唐纫兰
主权项 一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构,包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1),其特征在于:在芯片本体(1)的上表面设置隔离层(5),隔离层(5)不覆盖或者覆盖于芯片感光区(4);在隔离层(5)上设置透光盖板(6),在隔离层(5)不覆盖于芯片感光区(4)时,透光盖板(6)、隔离层(5)及芯片本体(1)之间形成空腔(7);在芯片本体(1)上形成硅沟槽(8),且硅沟槽(8)底部直接停止于芯片内部钝化层(2)的下表面,使芯片内部钝化层(2)下表面裸露出来;在芯片本体(1)下表面、硅沟槽(8)侧壁及裸露出的芯片内部钝化层(2)的下表面选择性的设置绝缘层(9);在芯片内部钝化层(2)和芯片内部金属层(3)上形成贯穿孔(10),且贯穿孔(10)停止于隔离层(5)内部;在绝缘层(9)表面及贯穿孔(10)内选择性的形成金属线路层(11);在绝缘层(9)及金属线路层(11)上选择性的设置线路保护层(12);在金属线路层(11)露出线路保护层(12)的地方设置焊球(13)。
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