| 发明名称 | 制造受保护免于反向工程的集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造受保护免于反向工程的集成电路的方法。提供一种在半导体芯片上制造集成电路(IC)的方法，该方法包括：设计(PH2)包括实现相同基本功能(Fi)的至少第一标准单元和第二标准单元(Ck)的集成电路的架构(ICA)；针对标准单元设计呈现随机差异的至少第一单元布局和第二单元布局(Lij)；设计(PH3)对应于集成电路架构的集成电路布局(ICL)；根据集成电路布局制造(PH4)集成电路；使用(S15)第一单元布局(Li1)实现集成电路布局中的第一标准单元；以及使用第二单元布局(Lij)实现集成电路布局中的第二标准单元。本申请用于保护集成电路免受反向工程。 | ||
| 申请公布号 | CN102467603A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110379373.0 | 申请日期 | 2011.11.18 |
| 申请人 | 意法半导体(鲁塞)公司 | 发明人 | F·马里内特 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;董典红 |
| 主权项 | 一种在半导体芯片上制造集成电路(IC)的方法，所述方法包括：‑设计(PH2)包括实现相同基本功能(Fi)的至少第一标准单元和第二标准单元(Ck)的所述集成电路(IC)的架构(ICA)，‑设计(PH3，PH3′，PH3″)对应于所述集成电路架构的集成电路布局(ICL)，‑根据所述集成电路布局制造(PH4)所述集成电路，其特征在于，所述方法包括：‑针对所述标准单元设计(S1，S2，S34，S59)呈现随机差异的至少第一单元布局和第二单元布局(Lij)，‑使用(S15，S36，S59)所述第一单元布局实现所述集成电路布局中的所述第一标准单元，以及‑使用(S15，S36，S55)所述第二单元布局实现所述集成电路布局中的所述第二标准单元。 | ||
| 地址 | 法国鲁塞 | ||