一种五结半导体太阳能光伏电池芯片

摘要

本发明公开了一种五结半导体太阳能光伏电池芯片，属于半导体光电子技术领域。本发明在现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池芯片外延材料体系之上增加生长获得AlInAs材料次顶电池芯片和ZnSCdSe材料顶电池芯片，充分吸收太阳辐射分布于紫外波段的大量能流，提高太阳能电池芯片的光电转换效率。

主权项

一种五结半导体太阳能光伏电池芯片，其特征在于：以锗Ge单晶片为衬底依次生长底电池芯片p‑Ge，n‑Ge、成核层GaAs、缓冲层GaInAs、势垒层n‑GaInAs、隧道结n++AlGaAs，p++GaInAs、势垒层p+GaInAs、第二节电池芯片p‑GaInAs，n‑GaInAs、窗口层n+AlGaInP/AlInAs、第二隧道结n++GaInAs，p++AlGaAs、第二势垒层p+GaInP、第三节电池芯片p‑GaInP，n‑GaInP、第二窗口层n+AlInP、第三隧道结n++AlInAs，p++AlInAs、第三势垒层n+AlInAs、顶电池芯片p‑AlInAs，n‑AlInAs、第三窗口层n+AlInAs、第四隧道结n++ZnSCdSe，p++ZnSCdSe、第四势垒层n+ZnSCdSe、顶电池芯片p‑ZnSCdSe，n‑ZnSCdSe、第四窗口层n+ZnSCdSe、欧姆接触层n+ZnSCdSe。