| 发明名称 | 堆叠的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种堆叠的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底，以及位于半导体衬底上的多个层面的晶片组件，其中，每一层面的晶片组件包括有源部件和键合部件，其中，有源部件和键合部件分别包括彼此垂直地对齐的贯穿导电通道，使得每一个层面的有源部件利用贯穿导电通道与下一层面/上一层面的有源部件电连接。该半导体器件及其制造方法可以用作FEOL的后继工艺或包含在半导体芯片的封装工艺中，以提供高集成度和高可靠性的三维半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102468284A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010540727.0 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 梁擎擎;钟汇才;赵超;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种堆叠的半导体器件，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底上的多个层面的晶片组件，其中，每一层面的晶片组件包括有源部件和键合部件，其中，有源部件和键合部件分别包括彼此垂直地对齐的贯穿导电通道，使得每一个层面的有源部件利用贯穿导电通道与下一层面/上一层面的有源部件电连接。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||