GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法

摘要

本发明涉及一种GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法，所述GaN基垂直结构LED包括在SiC衬底上依次生长有N型GaN层、量子阱层、P型GaN层和欧姆接触层，用机械研磨法将SiC衬底减薄，再用ICP法刻蚀SiC衬底的剩余部分，ICP刻蚀停止在GaN面上，刻蚀气体是Cl2、BCl3、SF6、O2、Ar、CHF3、CF4之一或组合。本发明有效地解决了SiC难剥离的问题，实现了SiC和N型GaN的完整剥离，同时对GaN基外延层无损伤，可用于制备大功率GaN基垂直结构LED管芯。

主权项

一种SiC衬底的GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法，其特征在于，采用机械研磨将SiC衬底减薄到10微米‑100微米；再用ICP法刻蚀SiC衬底的剩余部分，并且使ICP刻蚀停止在GaN面上，刻蚀气体是Cl2、BCl3、SF6、O2、Ar、CHF3、CF4之一或组合，使ICP刻蚀SiC衬底完全且停止在GaN基的层面上。