| 发明名称 | 具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体。可形成具有在硫属化物膜与另一膜之间的梯度膜的含硫属化物半导体装置。所述梯度膜可使其硫属化物浓度随着其延伸远离所述硫属化物膜而减小，而另一膜材料的浓度跨越所述梯度膜的厚度随移动远离所述硫属化物膜而增加。 | ||
| 申请公布号 | CN102468438A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110372949.0 | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 达维德·埃尔贝塔 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：形成具有在硫属化物与另一膜之间的梯度膜的含硫属化物半导体装置，使得硫属化物的浓度跨越所述梯度膜的厚度而改变。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||