发明名称 |
静电放电防护装置 |
摘要 |
一种静电放电防护装置,包括一衬底、一第一掺杂区、一第一栅极、一第二掺杂区、一第二栅极以及一第三掺杂区。衬底具有一第一导电型态。第一掺杂区具有一第二导电型态,并形成于衬底之中。第一栅极形成于衬底之上。第二掺杂区具有第二导电型态,并形成于衬底之中。第一、第二掺杂区以及第一栅极构成一晶体管。第二栅极形成于衬底之上,并与第一栅极彼此隔离。第三掺杂区具有第一导电型态,形成于衬底之中,并与第二掺杂区相互隔离。第一、第三掺杂区以及第二栅极构成一放电元件。本发明的静电放电防护装置能有效地保护集成电路,避免其因为偶然的ESD事件而损毁,同时不增加电路布局的复杂性。 |
申请公布号 |
CN101887894B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200910139196.1 |
申请日期 |
2009.05.13 |
申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 |
发明人 |
杜尚晖;蔡宏圣 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种静电放电防护装置,其特征在于,所述静电放电防护装置包括:一衬底,具有一第一导电型态;一第一掺杂区,具有一第二导电型态,并形成于所述衬底之中;一第一栅极,形成于所述衬底之上;一第二掺杂区,具有所述第二导电型态,并形成于所述衬底之中,其中所述第一、第二掺杂区以及所述第一栅极构成一晶体管;一第二栅极,形成于所述衬底之上,并与所述第一栅极彼此隔离;以及一第三掺杂区,具有所述第一导电型态,形成于所述衬底之中,并与所述第二掺杂区相互隔离,其中所述第一、第三掺杂区及所述第二栅极构成一放电元件。 |
地址 |
中国台湾 |