发明名称 静电放电防护装置
摘要 一种静电放电防护装置,包括一衬底、一第一掺杂区、一第一栅极、一第二掺杂区、一第二栅极以及一第三掺杂区。衬底具有一第一导电型态。第一掺杂区具有一第二导电型态,并形成于衬底之中。第一栅极形成于衬底之上。第二掺杂区具有第二导电型态,并形成于衬底之中。第一、第二掺杂区以及第一栅极构成一晶体管。第二栅极形成于衬底之上,并与第一栅极彼此隔离。第三掺杂区具有第一导电型态,形成于衬底之中,并与第二掺杂区相互隔离。第一、第三掺杂区以及第二栅极构成一放电元件。本发明的静电放电防护装置能有效地保护集成电路,避免其因为偶然的ESD事件而损毁,同时不增加电路布局的复杂性。
申请公布号 CN101887894B 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN200910139196.1 申请日期 2009.05.13
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 发明人 杜尚晖;蔡宏圣
分类号 H01L27/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I 主分类号 H01L27/06(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 任默闻
主权项 一种静电放电防护装置,其特征在于,所述静电放电防护装置包括:一衬底,具有一第一导电型态;一第一掺杂区,具有一第二导电型态,并形成于所述衬底之中;一第一栅极,形成于所述衬底之上;一第二掺杂区,具有所述第二导电型态,并形成于所述衬底之中,其中所述第一、第二掺杂区以及所述第一栅极构成一晶体管;一第二栅极,形成于所述衬底之上,并与所述第一栅极彼此隔离;以及一第三掺杂区,具有所述第一导电型态,形成于所述衬底之中,并与所述第二掺杂区相互隔离,其中所述第一、第三掺杂区及所述第二栅极构成一放电元件。
地址 中国台湾