发明名称 |
具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法 |
摘要 |
揭示了一种生产光生伏打器件(例如太阳能电池)的方法,包括以下步骤:提供具有前主面和背面的基板;在所述背面上沉积电介质层,其中所述电介质层的厚度大于100纳米;在所述电介质层上沉积包含氢化SiN的钝化层;形成贯穿电介质层和钝化层的后触头。还揭示了一种生产光生伏打器件(例如太阳能电池)的方法,包括以下步骤:提供具有前主面和背面的基板;在所述背面上沉积电介质叠层,其中所述电介质叠层包括电介质层的亚叠层,所述亚叠层的厚度大于100纳米,所述电介质叠层的厚度大于200纳米;形成贯穿所述电介质叠层的后触头。还揭示了相应的光生伏打器件,例如太阳能电池器件。 |
申请公布号 |
CN101142691B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200680008429.9 |
申请日期 |
2006.03.16 |
申请人 |
IMEC公司 |
发明人 |
G·阿格斯汀内里;G·博卡恩;P·乔拉特 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
余颖 |
主权项 |
一种生产光生伏打器件的方法,该方法包括:i.提供一半导体基板,该基板具有用于收集入射光的前主面和与该前主面相对的背面,ii.在所述背面上沉积电介质层,其中电介质层的厚度大于100纳米,沉积温度低于600℃,iii.在所述电介质层上沉积包含氢化SiN的钝化层,iv.经以下步骤形成贯穿所述电介质层和所述钝化层的后触头:a.在所述电介质层和所述钝化层中形成孔眼,b.在所述钝化层上沉积接触材料层,从而填充所述孔眼,和c.进行600‑1000℃的高温步骤,烧结所述器件。 |
地址 |
比利时勒芬 |