| 发明名称 | 掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，应用于闪存器件的浮栅制作，该方法包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述绝缘层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成掩模层；对所述掩模层进行等离子干法刻蚀并停止在所述第二绝缘层上形成凹槽。本发明提出一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，其能够有效减少在闪存器件的浮栅制作工艺中的掩模刻蚀制程的多晶硅损失，使得制成的闪存器件具有良好的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101599431B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200910055381.2 | 申请日期 | 2009.07.24 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 董耀旗;孔蔚然 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，应用于闪存器件的浮栅制作，其特征在于，该方法包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述绝缘层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成掩模层；其中，所述掩模层的材料为氮化硅，所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料为氧化硅。对所述掩模层进行等离子干法刻蚀并停止在所述第二绝缘层上形成凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||