半导体装置及其制造方法

摘要

在第1绝缘膜的表面形成多个遮光膜等。之后，在相邻的遮光膜等彼此之间的第2绝缘膜的表面形成离第1绝缘膜的表面的高度与遮光膜等上的第2绝缘膜的表面高度相同的伪图案。接着，在第2绝缘膜的表面形成覆盖伪图案并且具有平坦表面的第3绝缘膜。之后，将基体层以第3绝缘膜的平坦表面贴附在支撑基板上。这样制造半导体装置。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基体层的表面形成具有平坦表面的第1绝缘膜的工序；向上述基体层以离子方式注入剥离用物质来形成剥离层的工序；在上述第1绝缘膜的表面形成多个遮光膜或者背栅电极的工序；在上述第1绝缘膜的表面形成第2绝缘膜的工序，该第2绝缘膜覆盖上述遮光膜或者背栅电极，并且具有反映了该遮光膜或者背栅电极的台阶形状的凹凸状的表面；在相邻的上述遮光膜彼此之间或者相邻的上述背栅电极彼此之间的上述第2绝缘膜的表面形成离上述第1绝缘膜的表面的高度与上述遮光膜或者背栅电极上的上述第2绝缘膜的表面高度相同的伪图案的工序；在上述第2绝缘膜的表面形成第3绝缘膜的工序，该第3绝缘膜覆盖上述伪图案并且具有平坦表面；将设置有上述第3绝缘膜的基体层以该第3绝缘膜的平坦表面贴附在支撑基板上的工序；将贴附在上述支撑基板上的基体层的一部分沿着上述剥离层分离除去的工序；以及由残留在上述支撑基板上的基体层形成多个构成半导体元件的半导体层而使得该半导体层的至少一部分与上述遮光膜或者背栅电极重叠的工序。