| 发明名称 | 栅介质层和晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种栅介质层和晶体管的制作方法，所述栅介质层的制作方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行清洗；在清洗后的半导体衬底上形成界面氧化层；在所述界面氧化层上形成高K介质层。本发明的方法提高了界面氧化层与半导体衬底之间的附着力，改善了界面氧化层的均匀性和致密性，减小了半导体衬底和最终形成的晶体管的热预算，提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102468152A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010532616.5 | 申请日期 | 2010.11.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种栅介质层的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行清洗；在清洗后的半导体衬底上形成界面氧化层；在所述界面氧化层上形成高K介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||