发明名称 | 半导体发光器件 | ||
摘要 | 本发明实施方案涉及一种半导体发光器件。根据实施方案的半导体发光器件包括:含有多个化合物半导体层的发光结构;在发光结构下的第一电极;在发光结构上的第二电极层;在发光结构和第二电极层之间的第一绝缘层;和在第一绝缘层下形成并电连接至第一电极的金属层。 | ||
申请公布号 | CN101728411B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
申请号 | CN200910207050.6 | 申请日期 | 2009.10.27 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
主权项 | 一种半导体发光器件,包括:包含多个化合物半导体层的发光结构;在所述发光结构下形成的第一电极;在所述发光结构上形成的第二电极层;在所述发光结构和所述第二电极层之间的第一绝缘层;和在所述第一绝缘层的外侧下形成的并电连接至所述第一电极的金属层,其中所述第一绝缘层的所述外侧暴露于所述发光结构的外周。 | ||
地址 | 韩国首尔 |