| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，包括表面上的电极焊盘；半导体芯片，设置在该基板上，以电连接到该电极焊盘；第一树脂层，形成在该基板上，并且还填充在该基板和该半导体芯片之间；以及第二树脂层，层叠在该第一树脂层上，该第二树脂层的弹性模量大于该第一树脂层的弹性模量。 | ||
| 申请公布号 | CN102468245A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110344666.5 | 申请日期 | 2011.11.04 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 安川浩永 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：基板，包括表面上的电极焊盘；半导体芯片，设置在该基板上，以电连接到该电极焊盘；第一树脂层，形成在该基板上，并且还填充在该基板和该半导体芯片之间；以及第二树脂层，层叠在该第一树脂层上，该第二树脂层的弹性模量大于该第一树脂层的弹性模量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||